828半导体物理

一、考试基本内容

1、晶体结构(熟悉常见三种半导体的晶体结构和特点)和半导体的结合性质，理解带隙、导带、价带的概念，掌握倒格子和布里渊区的概念，熟悉常见半导体能带结构的特点。

2、半导体中电子状态：掌握电子、空穴有效质量的概念、意义，了解回旋共振测量半导体电子有效质量的原理。了解半导体中的杂质、缺陷种类和特点。重掺杂效应、杂质结合能、杂质种类。

3、热平衡状态下的载流子统计分布：几种常见分布函数、态密度的概念，费米能级的概念，热平衡状态下本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体。

4、半导体的导电性：载流子漂移运动、迁移率的概念、半导体中主要的散射机构。半导体的电导率与温度、杂质浓度的变化关系，强电场效应、热载流子、能谷间散射、负阻效应及典型器件应用。

5、平衡载流子：非平衡载流子的注入与复合、载流子寿命、准费米能级、扩散运动、爱因斯坦关系，复合理论、陷阱效应，连续性方程。

6、Pn结的能带、金属与半导体接触界面附件的能带图、异质结构的能带;整流理论，欧姆接触、异质结构的种类及特点(与同质结相比)。了解半导体中常见的热、压阻、光、磁等效应。

二、试题结构

1、考试方式为闭卷笔试。考试时间为3小时。满分150分。

2、试题结构：选择体30分左右;名词解释40分;简述题30分左右;计算题及推导证明50分左右。