导师姓名：邢艳辉
性别：
人气指数：42

所属院校：北京工业大学
所属院系：信息学部
职称：副教授
导师类型：硕导
招生专业：集成电路工程、电子科学与技术
研究领域： GaN基材料制备与测试分析，新型LED器件研究，GaN基增强型HEMT器件的研制和应用等。
研究领域： GaN基材料制备与测试分析，新型LED器件研究，GaN基增强型HEMT器件的研制和应用等。 [收起]




通讯方式 :
办公电话：**-839
电子邮件：xingyanhui@bjut.edu.cn
通讯地址：北京市朝阳区平乐园100号北京工业大学数理楼1段1317室


个人简述 :
主持和承担国家自然科学基金，北京市自然科学基金，承担和企业合作的北京市科委的项目。参加科研基地建设项目、科技成果转化提升计划项目、以及北京市教委、科委等课题的研究。作为骨干参与高亮度红光LED技术成功转让项目，获得北京市科学技术一等奖1项。发表SCI与EI检索论文50余篇。培养硕士毕业论文连续获得北京工业大学优秀毕业论文，北京市优秀毕业生。

科研工作 :
SCI收录代表性论文：1.Wang Kai，Yanhui Xing*, Jun Han et al. Influence of the TMAl source flow rate of the high temperature AlN buffer on the properties of GaN grown on Si(111) substrate[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 671:435-439.·2.Zhao Kangkang，Yanhui Xing*，Jun Han et al. Magnetic transport property of NiFe/WSe2/NiFe spin-valve structure[J] Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2017，432:10-133.Xing Yanhui*, Han Jun, Deng Jun et al, Investigation of GaN layer grown on different low misoriented sapphire by MOCVD，[J]Applied Surface Science 255 (3) :6121 -61244.Xing Yanhui*, Han Jun, Deng Jun, et al， Interrupted Mg doping of GaN with MOCVD for improved p-type layers. [J]Vaccum ，82（9）：1-45.王凯，邢艳辉*，韩军，. 掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究[J]. 物理学报，2016，65(1): 016802.6.邢艳辉*, 韩军，邓军等，p型GaN低温粗化提高发光二极管特性 [J]物理学报 59（2）：1233-1236

教育背景 :
2001年4月，毕业于长春理工大学光学工程专业，获硕士学位；2008年6月毕业北京工业大学，微电子学与固体电子学专业，获博士学位。