导师姓名：王如志
性别：男
人气指数：46

所属院校：北京工业大学
所属院系：材料学院
职称：教授
导师类型：博导
招生专业：材料工程、材料科学与工程
研究领域： 新型低维光&电能源材料结构设计与性能预测;低维氮化物半导体材料制备、性能及其物理机理;低维... [展开]


研究领域： 新型低维光&电能源材料结构设计与性能预测;低维氮化物半导体材料制备、性能及其物理机理;低维柔性纳米传感材料设计、制备及器件应用。 [收起]




通讯方式 :
办公电话：（010）**
电子邮件：wr@bjut.edu.cn


个人简述 :
2008年入选北京市科技新星计划，2012年入选北京市青年拔尖人才计划,2013年入选北京工业大学京华人才支持计划，2014年12月至2015年12月，在美国麻省理工学院访问交流一年。曾在香港，意大利、日本及美国等国家地区进行过多次合作访问交流。在半导体低维纳米材料的设计与预测、新能源材料设计与应用、新型纳米场发射材料制备与器件应用等研究领域上取得了一系列具有良好科学意义与应用价值的科研成果。所培养的1名博士曾获北京市优秀博士论文及全国优秀博士论文提名奖。

科研工作 :
已在国际学术刊物上发表SCI收录论文100多篇，其中，以第一或通讯作者发表的SCI收录一、二区论文30多篇。第一发明人国家授权发明专利15项。主持了包括5项国家自然科学基金、北京市科技新星计划及北京市自然科学基金等科研项目10余项,作为骨干参与国家重大专项、国家自然科学基金重点基金等科研项目多项。第一或通讯作者代表学术论文:1.Generalized Mechanism of Field Emission fromNanostructured Semiconductor Film Cathodes.Sci Rep7, 43625, 43625 (2017).2.Ultra-Low Threshold Field Emission from Amorphous BnNanofilms. J. Alloy. Compd.J. Alloy. Compd.705, 734(2017).3.Elastic Properties, Defect Thermodynamics,Electrochemical Window, Phase Stability, and Li+ Mobility of Li3PS4: Insightsfrom First-Principles Calculations. Acs Applied Materials &Interfaces 8, 25229 (2016).4.Engineering of hydrogenated two-dimensional h-BN/Csuperlattices as electrostatic substrates. Phys. Chem. Chem. Phys.18, 974 (2016).5.An atomistic mechanism study of GaN step-flow growth invicinal m-plane orientations. Phys. Chem. Chem. Phys. 18, 29239(2016).6.A low cost, green method to synthesize GaN nanowires. SciRep 5, 17692 (2015).7.Bipolar doping of double-layer graphene verticalheterostructures with hydrogenated boron nitride. Phys. Chem. Chem. Phys.17, 11692 (2015).8.Self-templating noncatalyzed synthesis of monolithicboron nitride nanowires. RSC Adv. 5, 75810 (2015).9.Two dimensional Dirac carbon allotropes from graphene,Nanoscale 6 (2), 1113 (2014).10.Si Doping at GaN Inversion Domain Boundaries: anInterfacial Polar Field for Electrons and Holes Separation. J. MaterChem. A, 2, 9744（2014）.11.Crystallization Effects of NanocrystallineGaN Films onField Emission. J. Phys. Chem. C 117, 1518-1523 (2013).12.From powder to nanowire: a simple and environmentallyfriendly strategy for optical and electrical GaN nanowire films. Crystengcomm15, 1626-1634 (2013).13.Wurtzite-type CuInSe2 for high-performance solar cellabsorber: ab initio exploration of the new phase structure. J. Mater.Chem. 22, 21662-21666 (2012)14.Giant magnetoresistance effect in graphene withasymmetrical magnetic superlattices. Appl. Phys. Lett. 101,152404 (2012).15.Order Structures of AlxGa1-xN Alloys: First-PrinciplesPredictions. J. Phys. Chem. C 116, 1282-1285 (2012).16.Enhanced Field Emission from GaN and AlN Mixed-PhaseNanostructured Film J. Phys. Chem. C 116 (2), 1780-1783 (2012).17.Electron field emission enhanced by geometric andquantum effects from nanostructured AlGaN/GaN quantum wells. Appl. Phys.Lett. 98, 152110 (2011).18.Strain-induced negative differential resistance inarmchair-edge graphenenanoribbons. Appl. Phys. Lett. 98, 082108(2011).19.Field Emission Enhancement in Semiconductor Nanofilmsby Engineering the Layer Thickness: First-Principles Calculations. J.Phys. Chem. C 114, 11584-11587 (2010).20.Ultra-Low-Threshold Field Emission from OrientedNanostructured GaN Films on Si Substrate. Appl. Phys. Lett.96(9), 092101(2010).21.Field emission enhancement by the quantum structure inan ultrathin multilayer planar cold cathode. Appl. Phys. Lett.92(14), 142102 (3) (2008)22.Spin transport in an asymmetrical magneticsuperlattice. Phys. Rev. B 74(2), 024417 (5) (2006).23.Strain-induced Raman-mode shift in single-wall carbonnanotubes: Calculation of force constants from molecular-dynamics simulations. Phys.Rev. B 77(19), 195440 (5) (2008).24.Anomalous pressure behavior of tangential modes insingle-wall carbon nanotubes. Phys. Rev. B. 76（3）, 033402 (4)(2007).25.Pressure-induced Raman-active radial breathing modetransition in single-wall carbon nanotubes. Phys. Rev. B 2007,75(4), 045425 (5) (2007).26.Structural enhancement mechanism of field emissionfrom multilayer semiconductor films. Phys. Rev. B, 72(12), 125310(6) ( 2005).27.Multipeak characteristics of field emission energydistribution from semiconductors. Phys. Rev. B, 70（19），195305 (6) (2004)28.Band Bending Mechanism for Field Emission in Wide BandGap Semiconductors. Appl. Phys. Lett.,81(15), 2782～2784 (2002).

教育背景 :
1997年本科毕业于湘潭大学物理系，2000年获湘潭大学凝聚态物理硕士学位，2003年获北京工业大学材料学博士学位，2005年从复旦大学物理学博士后流动站出站。