导师姓名：李京波
性别：
人气指数：129

所属院校：广东工业大学
所属院系：材料与能源学院
职称：教授
导师类型：硕导/博导
招生专业：材料工程、材料科学与工程、微电子学与固体电子学
研究领域： 科研方向
光电材料与器件、二维材料与纳米器件、高能量激光、先进装备集成与研发
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研究领域： 科研方向
光电材料与器件、二维材料与纳米器件、高能量激光、先进装备集成与研发
学科领域
科学学位：材料科学与工程/微电子学与固体电子学专业学位：材料工程 [收起]




通讯方式 :
电子邮件：jbli@semi.ac.cn


个人简述 :
个人简介
李京波教授，博士生导师，“国家杰出青年基金”和中组部“万人计划”获得者。2001年毕业于中国科学院半导体研究所，获得理学博士学位；2001年至2004年，在美国伯克利劳伦斯国家实验室做博士后；2004年至2007年，美国再生能源国家实验室助理研究员；2007年5月，入选中国科学院“百人计划”，同时进入半导体超晶格国家重点实验室工作，从事半导体掺杂机制和纳米材料的研究；2015年12月起任广东工业大学先进装备与光电技术研究所所长。在半导体掺杂机制和纳米材料等前沿领域中取得的一系列创新性研究成果：(1)发表了180余篇论文，其中包括Nature、NatureMaterials、NatureComm.、PRL、NanoLetters、JACS和APL/PRB上发表超过80篇论文。被国际同行引用超过6000次，最高单篇引用超过800次，单篇被引用超过100次的论文有12篇,获授权发明专利12项，对半导体光电材料与器件的设计有重要的指导作用。(2)首次从理论上研究了形状对纳米团簇电子态的影响，并且对相关的实验进行了解释。(3)与合作者提出了ChargePatching方法，实现了上万原子的第一性原理精度计算，该方法特别适用于大原胞的半导体合金和纳米团簇的大规模计算。(4)对半导体掺杂机制有深入的研究，提出GaN和ZnO等实现p-型掺杂的实验模型，并用第一性原理进行计算，获得国际同行的广泛关注。(5)首次研究了量子点中杂质的稳定性,预言在硅掺杂的GaAs量子点中，如量子点的尺寸小于14纳米，将出现DX深能级中心。(6)首次预言了CdS量子点比CdSe量子点更容易观察到“暗激子现象”，该预言被美国P.F.Barbara教授的实验小组所证实。论文已经被国际同行高度评价和大量引用，至今已被引用两千余次。2008年9月2日《科技日报》第十版以《李京波：半导体照明学科带头人》为题报道了李京波研究员的最新研究进展。2009年3月17日《自然》（亚洲材料）报道了李京波小组在光催化材料研究中取得的重要进展。2009年获国家杰出青年基金（信息学部）；2011年，浙江省“千人计划”荣誉称号（企业创新类）；2014年，获科技部中青年科技创新领军人才称号；2015年起，享受国务院政府特殊津贴；2016年获中组部第二批“万人计划”领军人才称号。
主要荣誉
2016年，获中组部“万人计划”领军人才；2015年，享受国务院政府特殊津贴；2014年，获科技部中青年科技创新领军人才；2013年，“杰青”终期评估“优秀”；2012年，“百人计划”终期评估获评“优秀”；2011年，浙江省“千人计划”荣誉称号（企业创新类）；2009年，获“国家杰出青年基金”（信息学部）；2007年，入选中国科学院“百人计划”；1998年，获广东省高校科技进步二等奖。

科研工作 :
工作经历
中国科学院半导体研究所学术委员会委员、学位委员会委员；中国科学院大学岗位教授；中国物理学会“发光学会”学术委员会委员；中国科学院“青年联合会”委员；清华大学兼职博士生导师；国际权威杂志Nature、PRL、PRB、NanoLetters、JPC、ACSNano、Nanoscale、AdvMater等特约审稿人。
科研项目
[1]半导体掺杂机制和纳米材料的研究,国家自然科学基金委杰出青年基金,200万，2009-2013，主持[2]以Dirac系统为代表的低维量子体系的新奇量子现象研究，国家科技部973项目，150万，2011-2016，子项目主持[3]高效氮化物LED材料及芯片关键技术，国家863计划新材料领域重点项目，946万，2009-2012，首席科学家[4]宽带隙氧化物光电功能材料的基础研究，国家自然科学基金委重大研究计划培育项目，80万，2013-2015，主持[5]低维半导体光电器件创新国际团队，国家外国专家局，420万，2015-2016，主持


教育背景 :
2001.9-2004.9美国伯克利劳伦斯国家实验室博士后。2004.9-2007.7美国再生能源国家实验室助理研究员。2007.7中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师。2015.12至今广东工业大学先进装备与光电技术研究所所长