一、 考试的总体要求
“半导体器件与集成电路”是微电子技术专业的主干课程。本大纲包括“晶体管原理”、“半导体集成电路”和“半导体器件工艺原理”。目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。
二、 考试内容及比例
试题中晶体管原理占40%，半导体集成电路占40%，半导体器件工艺原理占20%。考试具体范围:
（一）晶体管原理
1．晶体管直流特性
（1）晶体管放大原理
（2）晶体管电流放大系数
（3）晶体管反向电流和击穿电压
2．晶体管频率特性
（1）晶体管交流特性理论分析
（2）共发射极短路电流放大系数及其截止频率
3．晶体管功率特性
（1）大注入效应
（2）基区扩展效应
4．晶体管开关时间
5．MOS场效应晶体管
（1）MOSFET的阈值电压
（2）MOSFET的伏安特性
（3）短沟道效应
（二）半导体集成电路
1．集成电路中的晶体管及其寄生效应
（1）集成双极晶体管的有源寄生效应
（2）集成电路中的PNP管
（3）肖特基势垒二极管和肖特基箝位晶体管
2．晶体管—晶体管逻辑（TTL）电路
（1）一般的TTL与非门
（2）STTL和LTTL电路
3．发射极耦合逻辑（ECL）电路工作原理
4．MOS倒向器及其基本逻辑单元
5．模拟集成电路中的基本单元
6．集成运算放大器
7．集成电路的正向与反向设计
（三）半导体器件工艺原理
1．二氧化硅薄膜
二氧化硅膜的结构与性质；热生长氧化膜的性质；实现掩膜扩散的条件；氧化层错。
2．扩散
杂质原子的微观扩散机构及其宏观描述；扩散层杂质原子的浓度分布；硅器件生产中的两步扩散工艺；扩散层质量参数；扩散条件的选择；理论分布与实际分布的差异 。
三、试卷题型及比例
1. 简答题：30%
2. 论述题：45%
3. 计算、综合题：20%
4. 设计题：5%
四、考试形式及时间
笔试
考试时间三小时
五、主要参考材料
1．《晶体管原理》，张屏英，周右谟编著，上海科学技术出版社
《微电子技术基础—双极、场效应晶体管原理》，曹培栋编著，电子工业出版社
2．《半导体集成电路》，朱正涌编著，清华大学出版社
3．《半导体器件工艺原理》，黄汉尧等编著，国防工业出版社
“半导体器件与集成电路”是微电子技术专业的主干课程。本大纲包括“晶体管原理”、“半导体集成电路”和“半导体器件工艺原理”。目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。
二、 考试内容及比例
试题中晶体管原理占40%，半导体集成电路占40%，半导体器件工艺原理占20%。考试具体范围:
（一）晶体管原理
1．晶体管直流特性
（1）晶体管放大原理
（2）晶体管电流放大系数
（3）晶体管反向电流和击穿电压
2．晶体管频率特性
（1）晶体管交流特性理论分析
（2）共发射极短路电流放大系数及其截止频率
3．晶体管功率特性
（1）大注入效应
（2）基区扩展效应
4．晶体管开关时间
5．MOS场效应晶体管
（1）MOSFET的阈值电压
（2）MOSFET的伏安特性
（3）短沟道效应
（二）半导体集成电路
1．集成电路中的晶体管及其寄生效应
（1）集成双极晶体管的有源寄生效应
（2）集成电路中的PNP管
（3）肖特基势垒二极管和肖特基箝位晶体管
2．晶体管—晶体管逻辑（TTL）电路
（1）一般的TTL与非门
（2）STTL和LTTL电路
3．发射极耦合逻辑（ECL）电路工作原理
4．MOS倒向器及其基本逻辑单元
5．模拟集成电路中的基本单元
6．集成运算放大器
7．集成电路的正向与反向设计
（三）半导体器件工艺原理
1．二氧化硅薄膜
二氧化硅膜的结构与性质；热生长氧化膜的性质；实现掩膜扩散的条件；氧化层错。
2．扩散
杂质原子的微观扩散机构及其宏观描述；扩散层杂质原子的浓度分布；硅器件生产中的两步扩散工艺；扩散层质量参数；扩散条件的选择；理论分布与实际分布的差异 。
三、试卷题型及比例
1. 简答题：30%
2. 论述题：45%
3. 计算、综合题：20%
4. 设计题：5%
四、考试形式及时间
笔试
考试时间三小时
五、主要参考材料
1．《晶体管原理》，张屏英，周右谟编著，上海科学技术出版社
《微电子技术基础—双极、场效应晶体管原理》，曹培栋编著，电子工业出版社
2．《半导体集成电路》，朱正涌编著，清华大学出版社
3．《半导体器件工艺原理》，黄汉尧等编著，国防工业出版社