特别提醒：本考试大纲仅适合2005年微电子学与固体电子学专业的《半导体物理》考试科目。
1． 考研建议参考书目
刘恩科等著《半导体物理学》，国防工业出版社; 或西安交通大学出版社 ISBN 7-5605-1010-8/TN.54。
2． 基本要求
（1） 掌握半导体中的电子状态和能带；本征半导体中的导电机构和空穴；半导体中电子的运动和有效质量；硅和锗的能带结构和Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的能带结构。
（2） 掌握半导体中杂质和缺陷能级；重点掌握硅、锗晶体中的杂质能级和Ⅲ－Ⅴ族化合物中的杂质能级。
（3） 掌握半导体中载流子的统计分布理论以及简并半导体的基础理论；并掌握本征半导体和杂质半导体的载流子浓度和一般情况下的载流子统计分布。
（4） 掌握半导体的导电性理论；载流子的散射；迁移率、电阻率及其杂质浓度和温度的关系；强电场下的热载流子效应和耿氏效应。
（5） 掌握非平衡载流子的注入、复合、寿命；准费米能级；复合理论。并掌握载流子的扩散运动；漂移运动和爱因斯坦关系式及连续性方程。
（6） 掌握p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容和p-n结击穿与隧道效应的基础知识。
（7） 掌握金属与半导体的接触及其能带图；金属半导体接触整流理论基础知识。
（8） 掌握半导体表面和表面电场效应；MIS结构的电容－电压特性，硅－二氧化硅系统的性质。
掌握异质结及其能带图，异质结的电流输运机构基础知识。
1． 考研建议参考书目
刘恩科等著《半导体物理学》，国防工业出版社; 或西安交通大学出版社 ISBN 7-5605-1010-8/TN.54。
2． 基本要求
（1） 掌握半导体中的电子状态和能带；本征半导体中的导电机构和空穴；半导体中电子的运动和有效质量；硅和锗的能带结构和Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的能带结构。
（2） 掌握半导体中杂质和缺陷能级；重点掌握硅、锗晶体中的杂质能级和Ⅲ－Ⅴ族化合物中的杂质能级。
（3） 掌握半导体中载流子的统计分布理论以及简并半导体的基础理论；并掌握本征半导体和杂质半导体的载流子浓度和一般情况下的载流子统计分布。
（4） 掌握半导体的导电性理论；载流子的散射；迁移率、电阻率及其杂质浓度和温度的关系；强电场下的热载流子效应和耿氏效应。
（5） 掌握非平衡载流子的注入、复合、寿命；准费米能级；复合理论。并掌握载流子的扩散运动；漂移运动和爱因斯坦关系式及连续性方程。
（6） 掌握p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容和p-n结击穿与隧道效应的基础知识。
（7） 掌握金属与半导体的接触及其能带图；金属半导体接触整流理论基础知识。
（8） 掌握半导体表面和表面电场效应；MIS结构的电容－电压特性，硅－二氧化硅系统的性质。
掌握异质结及其能带图，异质结的电流输运机构基础知识。