一、 考试的总体要求
本考试大纲依据全国统编教材“半导体物理学”的主要内容制定。要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n结、半导体表面及MIS结构、各种半导体效应等基本理论，以及应用这些基本概念分析、解释有关实际问题。
二、 考试的内容及比例：（重点部分）
（一） 考试内容：
1、 晶体结构（金刚石、闪锌矿、纤锌矿结构）和半导体的结合性质；
2、 半导体中电子状态：Ge、Si、GaAs能带结构，半导体有效质量、空穴、杂质能级；
3、 热平衡状态下半导体载流子的统计分布：费米能级，简并半导体和重掺杂效应；
4、 半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射的概念,半导体电导率随温度、
杂质浓度的变化，强电场效应、热载流子，负阻效应；
5、 非平衡载流子：非平衡载流子的注入与复合、寿命、准费米能级等概念，复合理论，
电流密度方程和连续性方程；
6、 p-n结：平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I-V特性，p-n结
电容与击穿机制，p-n结隧道效应；
7、 金属、半导体接触：金属半导体接触势垒，肖特基二极管，欧姆接触；
8、 半导体表面与MIS结构：表面电场效应，理想MIS结构C-V特性，实际MIS系统
的性质，表面电场对p-n结特性的影响；
9、 异质结及半导体其它效应：异质结概念、异质结激光器、半导体光电与发光效应,
半导体霍尔效应、压阻效应、热电效应及其应用，非晶态半导体概念；
（二） 比例：
考试内容前8个问题约占70%，第9个问题占30%。
三、 试卷题型及比例
1、 选择题或概念题：30%；2、问答题：30%；3、计算题：20%；4、论述题：20%。
四、 考试形式及时间
考试形式均为笔试。考试时间为三小时(满分150)。
五、 主要参考教材（参考书目）
《半导体物理学》刘恩科、朱秉升、罗晋生等编，国防工业出版社
或《半导体物理学》顾祖毅、田立林、富力文等，电子工业出版社。