一、 考试要求
全面系统地掌握半导体物理的基本概念、基本原理和物理过程，并能够运用理论对实际问题进行分析和计算。
二、 考试内容
1） 能带论
l 半导体电子状态和能带
l 半导体电子的运动
l 本征半导体的导电机构
l 硅和锗的能带结构
2） 杂质半导体理论
l 硅和锗晶体中的杂质能级
l 缺陷、位错能级
3） 载流子的统计分布
l 状态密度与载流子的统计分布
l 本征与杂质半导体的载流子浓度
l 一般情况下载流子统计分布
l 简并半导体
4） 半导体的导电性
l 载流子的漂移运动与散射运动
l 迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
l 强电场效应
5） 非平衡载流子
l 非平衡载流子的注入、复合与寿命
l 准费米能级
l 复合理论
l 陷阱效应
l 电流密度方程
l 连续性方程
6） p-n结理论
l p-n结及其能带图
l p-n结电流电压特性
7） 金属-半导体接触理论
l 金-半接触、能带及整流理论
l 欧姆接触
8） 半导体表面理论
l 表面态及表面电场效应
l MIS结构电容-电压特性
l 硅-二氧化硅系统的性质
l 表面电场对p-n结特性的影响
9） 半导体光电效应
l 半导体的光学常数和光吸收
l 半导体的光电导效应
l 半导体的光生伏特效应
l 半导体发光和半导体激光
三、 试卷结构
1） 题型结构
l 概念简答题（30分）
l 论述题（60分）
l 理论推导及应用计算题（60分）
2） 内容结构
l 能带论（20分）
l 杂质半导体理论（20分）
l 半导体载流子分布及导电性（30分）
l 非平衡载流子理论（20分）
l p-n结理论（30分）
l 半导体表面理论（30分）
l 半导体光电效应（30分）
四、 参考书目
刘恩科，半导体物理学，国防工业出版社
[美]施敏 （S.M.Sze），半导体器件物理，电子工业出版社