复旦大学2005年入学研究生《半导体器件原理》专业课程考试大纲
《半导体器件原理》包括半导体器件的物理基础，双极型和MOS场效应晶体管的工作原理、特性和模型，以及影响器件特性的主要因素和一些常见非理想效应。
参考书：黄均鼐等，《双极型与MOS半导体器件原理》，复旦大学出版社
曾树荣，《半导体器件物理基础》（第1、2、3、5章），北京大学出版社
考试题型：名词解释、推导题、计算题
总分：150分
一．半导体的电子状态
1. 半导体的晶体结构、晶列晶面指数、结合性质
2. 半导体中的电子状态和能带
3. 载流子在外场下的运动规律
4. 杂质和缺陷能级
二．半导体的载流子统计
1. 状态密度和统计分布函数
2. 本征半导体、杂质半导体、简并半导体的统计
三．半导体的载流子输运
1. 载流子的散射
2. 迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
3. 强电场下的输运
4. 霍耳效应
四．非平衡载流子
1. 非平衡载流子的直接复合与间接复合
2. 陷阱效应
3. 载流子的扩散运动、双极扩散
4. 连续性方程
五．pn结、金半接触以及异质结
1. 平衡pn结的特性
2. pn结的电流-电压特性
3. pn结的势垒电容与扩散电容
4. pn结的开关特性
5. pn结的击穿
6. 金半接触能带图以及电流-电压特性
7. 欧姆接触
8. 异质结能带图以及二维电子气
六．双极型晶体管的直流特性
1. 双极型晶体管的基本原理
2. 双极型晶体管的直流特性及其非理想现象
3 漂移晶体管的直流特性
4. 双极型晶体管的反向特性
5. Ebers-Moll方程
七．双极型晶体管的频率特性与开关特性
1. 低频小信号等效电路
2. 放大系数的频率特性以及相关的几个时间常数
3. 高频等效电路
4 漂移晶体管、异质结双极型晶体管的基本原理
5. 电荷控制理论与双极型晶体管开关时间
八．半导体表面与MOS结构
1. 半导体表面空间电荷层的性质
2. 实际 Si-SiO2界面
3. 理想与实际MOS结构的C-V特性
九．MOS场效应晶体管的直流特性
1. MOS FET的结构和工作原理
2. MOS FET的阈值电压以及影响因素
3. MOSFET的输出特性和转移特性（包括亚阈值特性和其它二级效应）
4. MOSFET的直流参数
5. MOSFET的击穿特性
6. MOSFET 的小尺寸效应原理
7. 载流子速度饱和以及短沟道MOSFET的直流特性
8. MOSFET的按比例缩小规律
十．MOSFET的频率特性与开关特性
1. MOSFET的交流小信号等效电路
2. MOSFET的高频特性
3. 常见MOS倒相器及其开关特性
