名词解释30 1非辐射复合 2非平衡载流子 3本征激发 4 5 6
二简述60
1空穴怎么形成的，其导电机制是什么 2简述什么是简并半导体
3电子迁移率与杂质浓度，温度的关系 4电导率与温度的关系
三证明30
1假设电子寿命与空穴寿命相等，复合率为G,证明在稳态时电导率变化为=μ（忘了）G 2已知NA,ND,证明qVi=KTexp（NAND/ni^2）杂质分别为硼和磷
四计算30
1两n型半导体电子浓度之比为n1/n2=e,第一块费米能级在导带下面3KT处，求第二块费米能级所处的位置；求空穴浓度之比
2已知NA,ND,求耗尽层宽度和最大电场，（参数都给了）
江南大学2016年研究生考试(半导体物理(含器件))真题回忆版
本站小编 免费考研网/2015-12-28
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