哈尔滨工业大学

二〇〇四年硕士研究生考试试题

考试科目：半导体物理                  报考专业：微电子与固体电子学

考试科目代码：[        ]             

考生注意：答案务必写在答题纸上，并标明题号，答在试题上无效。

一、 解释下列名词或概念。（30分）

1. 布里渊区          6. 高密度补偿半导体

2. 光生伏特效应        7. 状态密度

3. 本征吸收            8. 消光系数

4. 间接帯隙式半导体    9. 表面复合率

5 .准费密能级          10. 光电导增益

二、 分别论述深能级和潜能级杂质对半导体的影响（30分）

三、 在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出空穴的爱因斯坦关系式（30分）

四、 画出理想p-n结的电流电压曲线（15分），并根据曲线的差异简述硅p-n结电流电压曲线偏离理想p-n结主要因素（15分）

五、 以p型硅MOS结构为例，画出可能测得的高频和低频C-V特性曲线，说明如何确定平带电压（15分）；若SIO2层中存在Na离子，曲线将如何变化？如何通过实验确定其表面密度（15分）