一
1.半导体材料的一般特性。
2.晶向指数和晶面指数。（）、{  }、[  ]、 < >
2.回旋共振实验原理.已知半导体导带的极值的方向，判断回旋共振实验的结果。
3.比较Si,Ge,GaAs能带结构的特点。
4.重空穴,轻空穴的概念.
二
1.什么是本征半导体和本征激发？
2.施主杂质和受主杂质。
3.画出（a）本征半导体、（b）n型半导体、（c）p型半导体的能带图，标出费米能级、导带底、价带顶、施主能级和受主能级的位置。
4.掺杂对半导体导电类型及导电能力如何影响的?
5.金原子的带电状态与浅能级杂质的关系？
6.何谓浅能级杂质?深能级杂质?各自的作用
7.何谓杂质补偿？有何实际应用？
三
1.写出热平衡时,                   的表达式，n0、p0用ni表示的表达式。
2.状态密度,导带的有效状态密度Nc,价带的有效状态密度Nv概念.

3.            的物理意义.

4  n型,p 型（包括同时含有施主和受主杂质）半导体的电中性方程。
5.解释载流子浓度随温度的变化关系。
6.了解温度、杂质浓度对费米能级位置的影响。
7.何谓非简并半导体、简并半导体？简并化条件？
8.定性说明简并半导体的能带结构会发生何变化？
四
1. 何谓漂移运动？迁移率的定义、量纲。
2. 平均自由程和平均自由时间的概念。
3. 半导体的主要散射机制？温度对它们的影响，原因？
4. 解释迁移率与杂质浓度、温度的关系
5. 解释电阻率随温度的变化关系.公式：电阻率与迁移率、载流子浓度关系式。
6. 电导有效质量、态密度有效质量的公式，并了解应用场合。
7. 强电场下Si、Ge和GaAs的漂移速度的变化规律，并解释之。
8. 何谓热载流子？
9. 说明耿氏振荡的形成机制。
五

热平衡态、非平衡态、稳态概念.
何谓准费米能级，为何要引入准费米能级？它和费米能级的区别是什么？
3. 会写非平衡态下载流子浓度表达式。
何谓直接复合？间接复合？
推导直接复合的非平衡载流子寿命公式，并试从直接复合的非平衡载流子寿命公式出发说明小注入条件下，寿命为定值。
了解间接复合的净复合率公式中各参量代表的意义，并从间接复合的净复合率公式出发说明深能级是最有效的复合中心。
已知间接复合的非平衡载流子寿命公式的一般形式，推导不同费米能级位置下的寿命公式。
何谓扩散运动？扩散系数的定义、量纲。
爱因斯坦关系式？会推导。
扩散长度和牵引长度的定义。
在不同条件下，对连续性方程进行化简。
六
1. 试述平衡p-n结形成的物理过程，画出势垒区中载流子漂移运动和扩散运动的方向.
2. 会写内建电势差VD的公式。分析锗p-n结与硅p-n结的VD哪个大?为什么?
3. 已知掺杂分布，说出求电场、内建电压和空间电荷区宽度的步骤。
4. 平衡p-n结,正向偏置p-n结,反向偏置p-n结的空间图、能带图，各区域载流子浓度表达式、载流子运动方向、电流方向。
5. 写出p-n结I-V方程,并说明方程中每一项的物理意义?
6. p-n结的理想伏-安特性与实际伏-安特性有哪些区别?定性分析原因。
7. p-n结电容包括哪两种?在正向偏置或反向偏置下哪种电容起主要作用？为什么？
8. 为什么说p-n结电容具有可变性？
9. 定性分析影响p-n结电容大小的因素？并举例说明p-n结电容对器件性能的影响。
10.p-n结击穿主要有哪几种?说明各种击穿产生的原因和条件.影响它们的因素有哪些?
11.在隧道二极管中,n区常重掺杂使EFn位于导带中,p区重掺杂使EFp位于价带中,画出这种二极管在零偏时的能带图,并说明外加正偏或反偏时,能带将如何变化?
11.隧道二极管与一般p-n二极管的伏-安特性有什么不同?它有什么特点?