清华大学集成电路832考研真题回忆版

本站小编 免费考研网/2019-12-01/0

2019
一给出了PN结的参数,让求给定电流时的电压和给定电压时的电流
二给出一个MOS管的参数,让求沟道宽度电压,电流等
三考的集成运放那块的内容,要读懂电路然后求电压表达式,挺复杂一电路
四十个左右的简答吧,考的都是概念性的东西,比如带通带阻啊还有自激振荡以及反馈之类的
五MOS电路那块的内容,给定不同的负载电阻,让求几个管子工作在啥区
六还是几道简答,也是概念性的东西,比如竞争冒险之类的
七和八都是数电那块的东西,不算很难,考的是触发器和时序逻辑
总结一下,答得时候觉得答得还行,成绩出来和预期差的还是挺大的,考的也不算好,主要是考模电数电半导体物理,教材就用高文焕的电子线路基础,尼曼的半导体器件物理,还有阎石的数电,认真复习的话,过线还是没问题的。祝大家好运。



201612

今年整体来说比较难吧,我个人觉得难,器件重半导体物理部分,后面的器件基本没怎么考,模点比以往偏,没有考差分运放,重在运算放大器的部分,数电前面简单,但是最后一题也比较难。下面详细回忆下。

共11道题,前面器件,后模电,最后数电。

第一道,让分析半导体的电阻率随温度的变化关系,画出曲线并分析。

第二道,是半导体物理,告诉导带底和价带顶的能量与波矢的关系,求禁带宽度,空穴和电子的有效质量,还有电子从价带顶跃迁到导带底时的准动量变化。

第三道,是一道计算扩散电流的题,还算简单,第二问求要使得电流为零所需加的电场强度。

第四道,是mos管电流的计算,但是最后一问考了速度饱和,写个没复习,不知道怎么算。

器件好像就这么几道其他的想不起来了。

模电具体的题号我都忘了,只能说说考了那些点,

首先2011年的真题原题又考了,

第五题,有好几道简单的问答题,1.问BJT与MOS管的跨导电流比,为什么BTJ要大,2.饱和时的cmos小型号等效电路图,3.让根据一个电路图设计电路,这次应该是一个积分运算电路,4.   根据一个电路图分析一个二极管的导痛还是截止,5.一个运放后面接一个mos管然后构成一个负反馈,分别在漏级和源级有两个输出电压,第一问判断输出极性和反馈组态,后面求对于两个输出电压的增益。

第六题,是一个含有三个运算放大器组成的电路,让求各个电压,还有在不同的频率下的输出电压的幅值。这题比较难,分值最大25分,

还有什么我想不起来了,接下来的数电

1.还是给两个二进制数,让求原码反码补码,求和,

2.根据给的输出函数,用卡洛图化简电路图

3.给一个触发器的时序图,让判断什么类型的触发器,触发方式是电平还是脉冲,

4.给了一个38译码器和2位数据选择器求输出函数的表达式,并列出真值表。

5.让设计产生11位序列的序列发生器。

整体来说今年比去年难了好多,复习的重点反而没考,比如器件的pn结,mos管的阈值电压,三极管的计算都没考,重点在半导体物理部分,模电和以往也不一样,没有简单mos放大电路,也没有考差分运放,波特图等,重点是运算放大器的计算。只有数电和往年差不多,只是最后一题依然做不来。。。

唉,考研也就这样了,来攒一波人品,只求过线啊

201512

给学弟学妹们一点引导,顺便攒一波人品。。
十二道大题,第一大题填空题,很基础很基础,而且和往年真题重复率挺高。记得有滤波器,自激震荡条件什么的。
第二题是一个简单的共源放大器,连沟长调制效应都不考虑,算算直流工作点,增益,增益带宽积,输出摆幅。应该都会吧。。
第三题考运放。这题我总感觉试题印刷是不是出错了。。。考了那些理想运放电路的的运算关系什么的,最后还考了非理想修正。
然后好像就是器件大题了,就是简单计算,二极管电流计算,mos阈值电压计算,mos漏源电流计算,记几个公式就都会做了,今年器件考的十分简单,主要坑爹的是不让带计算器。但是有一题是考了能态密度,费米分布函数,这个需要半导体物理的基础。
数电考的和往年真题重复率很高,反码补码,逻辑函数化简,同或门cmos电路,施密特触发器(这题考了好多年。。连问的东西都一样),最后一题应该是压轴题,考计数器设计,要求可控加减计数,实在是没时间做了。
总体来说今年832考的比较容易,高文焕的模电,闫石的数电,尼曼的器件,这三本看懂了应该都没问题。
但是丫的数学好难,考得我差点心态崩溃。。祝我好运吧
 


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