考试笔记第481页《胡赓祥材料科学基础(第3版)笔记和考研真题详解》

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用户: 拜拜雪公主~
时间: 2020-12-20 17:14:49 来自: iPad7,11

在“胡赓祥《材料科学基础》(第3版)笔记和考研真题详解”的内容第481页备注了学习笔记
,,所以 式中,K为比例常数;?G*为形核功;Q为原子从液相转移到固相的扩散激活能。k为玻尔兹曼常数;T为绝对温度。 当过冷度较小时,形核率主要受N1项的控制,随过冷度增大,形核率迅速增加;但当过冷度很大时,由于原子活动能力减小,此时形核率主要由N2项控制,随过冷度增加,形核率迅速减小。
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胡赓祥《材料科学基础》(第3版)笔记和考研真题详解
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胡赓祥《材料科学基础》(第3版)笔记和考研真题详解

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第1章 原子结构与键合
 1.1 复习笔记
 1.2 名校考研真题详解
第2章 固体结构
 2.1 复习笔记
 2.2 名校考研真题详解
第3章 晶体缺陷
 3.1 复习笔记
 3.2 名校考研真题详解
第4章 固体中原子及分子的运动
 4.1 复习笔记
 4.2 名校考研真题详解
笫5章 材料的形变和再结晶
 5.1 复习笔记
 5.2 名校考研真题详解
第6章 单组元相图及纯晶体的凝固
 6.1 复习笔记
 6.2 名校考研真题详解
第7章 二元系相图和合金的凝固与制备原理
 7.1 复习笔记
 7.2 名校考研真题详解
第8章 三元相图
 8.1 复习笔记
 8.2 名校考研真题详解
第9章 材料的亚稳态
 9.1 复习笔记
 9.2 名校考研真题详解
第10章 材料的功能特性
 10.1 复习笔记
 10.2 名校考研真题详解



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