用户: 风尘之恋时间: 2022-01-10 20:18:11 来自: iPad7,11
在“童诗白《模拟电子技术基础》（第5版）笔记和课后习题（含考研真题）详解”的内容第363页备注了学习笔记
n型半导体参杂五价元素（磷）自由电子为多子\n\np型半导体参杂三价元素（硼）空穴为多子\n\n浓度差??扩散\n电位差??漂移\n\n势垒电容：空间电荷区（耗尽层）宽窄变化\n扩散电容：扩散运动区载流子浓度变化半导体基本名词术语
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童诗白《模拟电子技术基础》（第5版）笔记和课后习题（含考研真题）详解
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第1章 常用半导体器件
1.1 复习笔记
1.2 课后习题详解
1.3 名校考研真题详解
第2章 基本放大电路
2.1 复习笔记
2.2 课后习题详解
2.3 名校考研真题详解
第3章 多级放大电路
3.1 复习笔记
3.2 课后习题详解
3.3 名校考研真题详解
第4章 放大电路的频率响应
4.1 复习笔记
4.2 课后习题详解
4.3 名校考研真题详解
第5章 放大电路中的反馈
5.1 复习笔记
5.2 课后习题详解
5.3 名校考研真题详解
第6章 信号的运算和处理
6.1 复习笔记
6.2 课后习题详解
6.3 名校考研真题详解
第7章 波形的发生和信号的转换
7.1 复习笔记
7.2 课后习题详解
7.3 名校考研真题详解
第8章 功率放大电路
8.1 复习笔记
8.2 课后习题详解
8.3 名校考研真题详解
第9章 直流电源
9.1 复习笔记
9.2 课后习题详解
9.3 名校考研真题详解
第10章 模拟电子电路读图
10.1 复习笔记
10.2 课后习题详解
10.3 名校考研真题详解
