浙江大学信电学院微电子器件回忆试卷(18-19春夏)

本站小编 免费考研网/2020-02-13/0

1.
(1)    阈值电压物理含义
(2)    列举至少4种确定阈值电压的方法
2.    分析MOS电容在高频的时候
(1)    衬底掺杂浓度增大
(2)    温度降低
C-V曲线的变化并画出示意图
3.    M0SFET器件,沟道宽度1 um,载流子迁移率200cmA2/Vs,饱和 速率10^7 u m/s,求沟道长度分别为20 Mm和20nm的器件的驱动电 流Id
4.    列举至少3种MOSFET器件沟道长度缩短导致的负面效应,说明其 成因,并给出解决该负面效应的可能方案


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