考试笔记第498页《胡赓祥材料科学基础(第3版)笔记和考研真题详解》

本站小编 Free考研/2020-12-17

用户: 冬雨
时间: 2020-12-17 17:46:52 来自: iPad7,11

在“胡赓祥《材料科学基础》(第3版)笔记和考研真题详解”的内容第498页备注了学习笔记
滑移的位错机制 a.机制:位错的运动需要克服阻力。 b.位错运动的阻力: 第一,点阵阻力; 第二,位错与位错的交互作用产生的阻力; 第三,运动位错交截后形成的扭折和割阶; 第四,与其他晶体缺陷(如点缺陷、其
点击查看资料全文:
前往在线阅读下载全文

胡赓祥《材料科学基础》(第3版)笔记和考研真题详解
用户冬雨正在学习的资料简介:
胡赓祥《材料科学基础》(第3版)笔记和考研真题详解

手机扫码阅读全文

第1章 原子结构与键合
 1.1 复习笔记
 1.2 名校考研真题详解
第2章 固体结构
 2.1 复习笔记
 2.2 名校考研真题详解
第3章 晶体缺陷
 3.1 复习笔记
 3.2 名校考研真题详解
第4章 固体中原子及分子的运动
 4.1 复习笔记
 4.2 名校考研真题详解
笫5章 材料的形变和再结晶
 5.1 复习笔记
 5.2 名校考研真题详解
第6章 单组元相图及纯晶体的凝固
 6.1 复习笔记
 6.2 名校考研真题详解
第7章 二元系相图和合金的凝固与制备原理
 7.1 复习笔记
 7.2 名校考研真题详解
第8章 三元相图
 8.1 复习笔记
 8.2 名校考研真题详解
第9章 材料的亚稳态
 9.1 复习笔记
 9.2 名校考研真题详解
第10章 材料的功能特性
 10.1 复习笔记
 10.2 名校考研真题详解



相关话题/考研真题 材料科学基础