上海应用技术大学考研研究生导师简介-邹军

本站小编 Free考研网/2019-05-27

导师姓名:邹军
性别:男
人气指数:1450

所属院校:上海应用技术大学
所属院系:理学院
职称:副教授
导师类型:
招生专业:材料化学工程
研究领域: 研究集中于LED及LD相关材料与器件;研究氮化物材料的生长机理(与上海博恩世通光电股份有限... [展开]


研究领域: 研究集中于LED及LD相关材料与器件;研究氮化物材料的生长机理(与上海博恩世通光电股份有限公司合作),衬底生长与改性(与美国宾夕法尼亚大学合作),LED封装用荧光体材料研究包括荧光晶体(与温州大学合作),荧光透明陶瓷(与中科院上海光机所合作),荧光玻璃陶瓷材料制备,测试与分析研究;LED器件封装研究包括最新LED倒装封装工艺,荧光粉喷涂与印刷工艺(与浙江亿米光电科技有限公司合作),注重于解决公司实际工艺技术。 [收起]




通讯方式 :
办公电话:**
电子邮件:zoujun@sit.edu.cn


个人简述 :
邹军,男,1978.02,湖北襄阳人,博士研究生,副教授,硕士生导师。从事LED和LD相关氮化物和氧化物材料与器件研究。200707-200803上海伟钊光学科技有限公司研发工程师;200803-201003浙江聚光科技有限公司研发总工程师;201003-201212浙江亿米光电科技有限公司总经理;201212-至今上海应用技术学院。

科研工作 :
作为第一负责人主持项目:1.LED白光面光源及应用灯具(09C**),200912-201302,国家创新基金;2.高显色大功率LED路灯(10C**),201011-201305,国家创新基金;3.荧光微晶玻璃体材料制备白光LED技术与应用(11C**),2011.6-2013.6,国家创新基金;4.铝酸锂上无极性氮化物薄膜制备关键技术研究(**),201404-201612,国家自然基金青年基金;5.白光LED器件封装荧光体材料的制备及产业化(2012C11SA460025),2011.3-2014.3,浙江省重大科技项目;6.LED新型封装材料、封装技术及应用灯具的研究,2010.12-2012.4,创新嘉兴精英引领计划项目(等级C);参与的项目有:1.2英寸LiAlO2晶体及衬底制备技术研究(2006AA03A101),“十一五”863计划半导体照明工程专项2.LiAlO2衬底和非极性GaN/InGaN量子阱生长研究(2004AA311080),“十一五”863计划半导体照明工程专项3.大尺寸高质量LiAlO2晶片制备及产业化关键技术研究,上海“浦江人才计划”项目4.宽禁带半导体薄膜及其新型衬底材料,中国科学院“百人计划”项目。主要研究论文目录:1.Zoujun,ShengmingZhou,JunXuetal,RemarkableinfluenceofvaportransportequilibrationonthecrystalqualityandthermalexpansioncoefficientsofLiAlO2,JournalofAppliedPhysics,2005,98:80909.2.Zoujun,xiangWeidong,A-planeGaNlayergrownon(302)LiAlO2byMOCVD,JournalofAlloysandCompounds,2009,484:622-625.3.Zoujun,XiangWeidong,Nonpolarm-anda-planeGaNthinfilmsgrownonr-LiAlO2substrates,JournalofCrystalgrowth,2009,311:3285-3288.4.JunZou,ShengmingZhou,Junxuetal,Studyongrowthandpropertiesofnovelγ-LiAlO2substrate,Chin.Sci.E,2006,22:333.5.JunZou,ShengmingZhou,ChangtaiXiaetal,Structural,opticalandelectricalpropertiesofZnOfilmsgrownonc-planesapphireand(100)LiAlO2bypulselaserdeposition,J.CCryst.Growth,2005,280:185.6.JunZou,ShengmingZhou,ChangtaiXiaetal,OpticalpropertiesofZnOthinfilmonLiAlO2grownbypulsedlaserdeposition,ThinSolidFilsm,2005,496:205.7.JunZou,ShengmingZhou,YangLietal,SpectraanalysisofanovelTi-dopedLiAlO2singlecrystal,Chin.Phys.Lett,2005,22:2622.8.JunZou,ShengmingZhou,XiaZhangetal,DepositionofZnOthinfilmson(100)γ-LiAlO2substrate,Chin.Opt.Lett,2005,2:494.9.JunZou,ShengmingZhou,XiaZhangetal,Structural,MorphologicalandOpticalpropertiesofZnOthinfilmsgrownonLiAlO2bypulsedlaserdeposition,J.Mater.Sci.Technol.,2005,21:549.10.JunZou,LianhanZhang,JunXuetal,γ-LiAlO2singlecrystalgrownbyCzochralskltechniqueandmodifiedbyVaporTransportEquilibration(VTE)technique,J.Mater.Sci.Technol,2006,22:491.11.JunZou,ShengmingZhouetal,StudyonthehydrolyticpropertyandthermalstabilityofLiAlO2substrate,J.CrystalGrowth,2006,294:339.12.JunZou,ChengxiangLiu,ShengmingZhouetal,Growthstudiesofm-GaNlayersonbyLiAlO2MOCVD,ChinesePhysics,2006,15:2706.13.JunZou,ShengmingZhou,JunXu,ComparisonofZnOfilmsgrownonbefore-andafter-vaportransportequilibration(VTE)LiAlO2substratesbypulsedlaserdeposition(PLD),J.Mater.Sci.Technol,2006,22:333.专利:1.LEDlightsourceandmanufacturingmethod(US**A1),美国发明专利;2.LEDlightsource(US**B2),美国发明专利;3.LED新型封装光源(PCT/CN2011/756),日本发明专利;4.LED路灯(ZL**2.3),实用新型专利;5.LED筒灯(ZL**1.X),实用新型专利;6.LED日光灯(ZL**8.1),实用新型专利;7.LED格栅射灯(ZL**7.4),实用新型专利;8.LED射灯(ZL**1.2),实用新型专利;9.LED隧道灯(ZL**8.6),实用新型专利;10.LED面板灯(ZL**2.4),实用新型专利;11.大功率LED灯具(ZL**5.8),实用新型专利;12.LED灯条(ZL**4.3),实用新型专利;13.一种扇形结构的LED芯片(申请号**32720),实用新型专利;14.一种扇形结构的LED芯片及其制造方法(申请号**25460),发明专利;15.LED筒灯(申请号**9.9),发明专利;16.LED面板灯(申请号**0.5),发明专利;所获荣誉:1.科技部“科技创新创业人才”;2.第五批嘉兴市新世纪专业技术带头人培养人员;3.温州市第六轮专业技术拔尖人才;4.嘉兴市创业创新领军人才;5.“嘉兴市十大杰出青年”;6.嘉善县第七批优秀专业人才;7.嘉兴市创业创新领军人才;8.2012年“红船先锋”优秀共产党员荣誉称号;9.浙江省151人才;10.温州市551人才

教育背景 :
2007年7月毕业于中科上海光机所,获材料学博士学位。


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